芯(xīn)片描(miáo)述
芯(xīn)片特點
| ○ | 2k×16-bit otp rom | ○ | 80×8-bit sram | |
| ○ | 8 級(jí)堆棧(zhàn)空(kōng)間(jiān) | ○ | 可編(biān)程 wdt 預(yù)分(fèn)頻器 | |
| ○ | 可(kě)編程(chéng) wdt 時間（4.5ms、18ms），可控制 wdt 自由運行時(shí)間 | ○ | 帶信号源(yuán)選擇、觸發沿選擇(zé)、溢出中斷(duàn)及預分頻(pín)器(qì)的 8 位實時時(shí)鍾/計數（tcc） | |
| ○ | 工(gōng)作電壓範(fàn)圍：2.1v~5.5v（-0℃～70℃）2.3v~5.5v（-40℃～85℃） | ○ |
工(gōng)作頻率範圍（2 分(fèn)頻）：
晶振模(mó)式：dc~16mhz，4.5v；dc~8mhz，3v； dc~4mhz，2.1v erc 模式：dc~2mhz，2.1v irc 模(mó)式：16mhz，4mhz，1mhz，8mhz |
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| ○ | 系(xì)統高(gāo)低(dī)頻率的界限是 400khz | ○ |
低功耗(hào)：
小于(yú) 1.5ma（4mhz/5v） 典型 15a （32khz/3v） 典(diǎn)型(xíng) 2a（睡眠(mián)模式(shì)，wdt 關(guān)閉(bì)，lvd 關閉(bì)） |
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| ○ | 内置(zhì) rc 振蕩(dàng)電路(lù)：16mhz、1mhz、4mhz、8mhz | ○ | 低(dī)壓複位：4.0v±0.3v、3.5v±0.3v、2.7v±0.3v @25℃ | |
| ○ | 低壓(yā)檢測：4.5±0.2v、4.0±0.2v、3.3±0.2v、2.2±0.2v @25℃ | ○ |
中(zhōng)斷源：
tcc 溢出中斷 （idle 模式喚(huàn)醒） 外部(bù)中(zhōng)斷 （sleep/idle 模(mó)式喚醒(xǐng)） 比較器(qì)輸出狀(zhuàng)态(tài)改變中斷 （sleep/idle 模式喚醒(xǐng)） adc 轉換完成中斷 （sleep /idle 模式喚(huàn)醒） pwm1~3 周期(qī)中斷(duàn) （idle 模式(shì)喚醒(xǐng)） pwm1~3 占空比(bǐ)中斷 （idle 模(mó)式喚醒） p0 端(duān)口輸(shū)入狀态改變中(zhōng)斷 （sleep /idle 模式(shì)喚醒） lvd 中(zhōng)斷 （sleep /idle 模式喚醒） |
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| ○ |
雙(shuāng)向 i/o 口：
17 位可編程(chéng)控制 pull-high i/os（p1<7:0>，p0<7:0>，p20） 16 位可編程(chéng)控制(zhì) open-drain i/os（p1<7:0>，p0<7:0>） 17 位可編程控制(zhì) pull-low i/os（p1<7:0>，p0<7:0>，p20） 14 位可編程(chéng)控制(zhì) high-sink current i/os （p1<7:0>，p0<7:6>，p0<4:1>） |
○ | 指(zhǐ)令(lìng)周期(qī)長度(dù)選擇：2/4/8/16 個振(zhèn)蕩時鍾 | |
| ○ | 封裝形式：dip/sop/ssop20，dip/sop18 |
芯(xīn)片框圖
産品中(zhōng)心
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