芯片描述
芯片特點(diǎn)
○ | 2k×16-bit OTP ROM | ○ | 80×8-bit SRAM | |
○ | 8 級堆棧空間 | ○ | 可(kě)編(biān)程 WDT 預分頻器 | |
○ | 可編程(chéng) WDT 時間(4.5ms、18ms),可控(kòng)制 WDT 自由運(yùn)行時間 | ○ | 帶信号源選(xuǎn)擇、觸發沿選擇、溢出(chū)中斷及預分頻器的(de) 8 位實(shí)時時鍾/計數(TCC) | |
○ | 工作電壓範圍:2.1V~5.5V(-0℃~70℃)2.3V~5.5V(-40℃~85℃) | ○ |
工作頻率範圍(2 分頻):
晶振模式:DC~16MHz,4.5V;DC~8MHz,3V; DC~4MHz,2.1V ERC 模式:DC~2MHz,2.1V IRC 模式:16MHz,4MHz,1MHz,8MHz |
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○ | 系(xì)統高低頻率的界限是 400kHz | ○ |
低功耗:
小于(yú) 1.5mA(4MHz/5V) 典型 15A (32kHz/3V) 典型 2A(睡眠模(mó)式,WDT 關閉,LVD 關閉) |
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○ | 内置 RC 振蕩電路:16MHz、1MHz、4MHz、8MHz | ○ | 低壓複位:4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V @25℃ | |
○ | 低壓檢(jiǎn)測:4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V @25℃ | ○ |
中斷源:
TCC 溢出中斷 (IDLE 模(mó)式喚(huàn)醒(xǐng)) 外部中斷 (SLEEP/IDLE 模式喚醒) 比較(jiào)器(qì)輸出狀态改變中斷(duàn) (SLEEP/IDLE 模式喚醒) ADC 轉換完成(chéng)中斷 (SLEEP /IDLE 模式(shì)喚醒) PWM1~3 周期中斷 (IDLE 模式喚醒) PWM1~3 占空比(bǐ)中斷 (IDLE 模式喚醒) P0 端口輸(shū)入狀态改變中斷 (SLEEP /IDLE 模式(shì)喚醒) LVD 中(zhōng)斷 (SLEEP /IDLE 模式喚醒) |
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○ |
雙向 I/O 口:
17 位可編程控制 pull-high I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20) 16 位可編程控制 open-drain I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>) 17 位可(kě)編程(chéng)控制(zhì) pull-low I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20) 14 位可編程(chéng)控制 high-sink current I/OS (P1<7:0>,P0<7:6>,P0<4:1>) |
○ | 指令周期長度選擇:2/4/8/16 個振蕩時鍾 | |
○ | 封裝形式:DIP/SOP/SSOP20,DIP/SOP18 |
芯片框圖
無(wú)錫總部
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深圳(zhèn)分公司
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