芯(xīn)片描(miáo)述(shù)
芯片特點(diǎn)
○ | 1k×14-bit otp rom | ○ | 48×8-bit sram | |
○ | 5級堆棧空間 | ○ | 可編程(chéng)wdt預分(fèn)頻器 | |
○ | 可編程(chéng)wdt時(shí)間(4.5ms、18ms、72ms、288ms),可控制wdt自由(yóu)運行時間(jiān) | ○ | 帶信(xìn)号源(yuán)選擇、觸發(fā)沿選(xuǎn)擇(zé)以(yǐ)及溢(yì)出中斷的8位實(shí)時時鍾(zhōng)/計(jì)數器(qì)(tcc) | |
○ |
工作(zuò)電壓(yā)範圍(wéi):
1.8v~5.5v(-0℃~70℃);2.3v~5.5v(-40℃~85℃) |
○ |
工作(zuò)頻率(lǜ)範圍(2分(fèn)頻):
20khz~10mhz @5v;20khz~4mhz @3v;20khz~2mhz @1.8v |
|
○ |
低功(gōng)耗:
小(xiǎo)于2ma(4mhz/5v) 小(xiǎo)于(yú)30a(32khz/3v) 小(xiǎo)于1a(睡(shuì)眠模式(shì),wdt關(guān)閉,lvd關(guān)閉) |
○ | 内置rc振蕩電(diàn)路:455khz、1mhz、4mhz、8mhz | |
○ | 低(dī)壓複位:1.8v±0.3v、1.6v±0.3v @25℃ | ○ | 低(dī)壓檢測(可複用(yòng)爲低壓(yā)複位):2.4±0.2v、2.7±0.2v、3.6±0.2v、3.9±0.2v @25℃ | |
○ |
6個(gè)中斷(duàn)源:
外部中(zhōng)斷 pwm中斷(duàn) tcc溢出中(zhōng)斷 lvd中斷(可喚醒(xǐng)) wdt中(zhōng)斷(可喚醒) 輸(shū)入端口狀态改(gǎi)變産生中斷(可(kě)喚醒) |
○ |
雙向(xiàng)i/o口:
11位可編程控(kòng)制pull-high i/os(p1<7:4>,p1<2:0>,p0<3:0>) 7位(wèi)可編程控制open-drain i/os(p1<7:4>,p1<2:0>) 11位(wèi)可編程(chéng)控(kòng)制pull-low i/os(p1<7:4>,p1<2:0>,p0<3:0>) |
|
○ | 指(zhǐ)令周期長(zhǎng)度選擇:2/4/8個(gè)振蕩時鍾(zhōng) | ○ | 封裝形式:sfm8p154baco(sop14)、 sfm8p154bacp(dip14) |
芯片框圖(tú)
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